IDDD06G65C6XTMA1

Infineon Technologies

Producto No:

IDDD06G65C6XTMA1

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PG-HDSOP-10-1

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Descripción:

DIODE SIL CARB 650V 18A HDSOP-10

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Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	302pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	PG-HDSOP-10-1
Current - Reverse Leakage @ Vr	20 µA @ 420 V
Series	CoolSiC™+
Package / Case	10-PowerSOP Module
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mfr	Infineon Technologies
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Bulk
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)	18A