IDT10S60C

Infineon Technologies

Producto No:

IDT10S60C

Fabricante:

Paquete:

PG-TO220-2-2

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 1479

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	480pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	PG-TO220-2-2
Current - Reverse Leakage @ Vr	140 µA @ 600 V
Series	thinQ!™
Package / Case	TO-220-2
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 10 A
Mfr	Infineon Technologies
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600 V
Package	Bulk
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)	10A (DC)