IGLD60R190D1AUMA3

Infineon Technologies

Producto No:

IGLD60R190D1AUMA3

Fabricante:

Paquete:

PG-LSON-8-1

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

GAN HV

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 2905

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	157 pF @ 400 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Supplier Device Package	PG-LSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 960µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	CoolGaN™
Power Dissipation (Max)	62.5W (Tc)
Package / Case	8-LDFN Exposed Pad
Technology	GaNFET (Gallium Nitride)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Vgs (Max)	-10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Package	Tape & Reel (TR)