IMW65R027M1HXKSA1

Infineon Technologies

Producto No:

IMW65R027M1HXKSA1

Fabricante:

Paquete:

PG-TO247-3-41

Lote:

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Descripción:

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2131 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	62 nC @ 18 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34mOhm @ 38.3A, 18V
Supplier Device Package	PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 11mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	CoolSIC™ M1
Power Dissipation (Max)	189W (Tc)
Package / Case	TO-247-3
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	47A (Tc)
Vgs (Max)	+23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Package	Tube
Base Product Number	IMW65R027