IPA50R800CEXKSA2

Infineon Technologies

Producto No:

IPA50R800CEXKSA2

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PG-TO220-3-FP

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Descripción:

MOSFET N-CH 500V 4.1A TO220

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Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	280 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.4 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800mOhm @ 1.5A, 13V
Supplier Device Package	PG-TO220-3-FP
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 130µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Series	CoolMOS™ CE
Power Dissipation (Max)	26.4W (Tc)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.1A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	13V
Package	Tube
Base Product Number	IPA50R800