IPB019N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Producto No:

IPB019N08N3GATMA1

Fabricante:

Paquete:

PG-TO263-7

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 9956

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	206 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 270µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Package / Case	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	180A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPB019