IPB081N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Producto No:

IPB081N06L3GATMA1

Fabricante:

Paquete:

PG-TO263-3

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4900 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.1mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 34µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	79W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPB081