IPD60R360P7SAUMA1

Infineon Technologies

Producto No:

IPD60R360P7SAUMA1

Fabricante:

Paquete:

PG-TO252-3

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Descripción:

MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3

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Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	555 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 2.7A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 140µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	CoolMOS™ P7
Power Dissipation (Max)	41W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPD60R