IPD65R380E6

Infineon Technologies

Producto No:

IPD65R380E6

Fabricante:

Paquete:

PG-TO252-3-313

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 5090

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380mOhm @ 3.2A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 320µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	CoolMOS™ E6
Power Dissipation (Max)	83W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10.6A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Package	Bulk