IPD80R450P7ATMA1

Infineon Technologies

Producto No:

IPD80R450P7ATMA1

Fabricante:

Paquete:

PG-TO252-2

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 11A TO252

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 11859

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	770 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO252-2
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 220µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Series	CoolMOS™
Power Dissipation (Max)	73W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPD80R