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IPDD60R105CFD7XTMA1

Infineon Technologies

Producto No:

IPDD60R105CFD7XTMA1

Paquete:

PG-HDSOP-10-1

Lote:

-

Ficha de datos:

-

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 31A HDSOP-10

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Información del producto

Parámetro Info

Guía del usuario

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1504 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 7.8A, 10V
Supplier Device Package PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 390µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Series CoolMOS™ CFD7
Power Dissipation (Max) 198W (Tc)
Package / Case 10-PowerSOP Module
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Tc)
Vgs (Max) ±20V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number IPDD60