IPG20N04S408AATMA1

Infineon Technologies

Producto No:

IPG20N04S408AATMA1

Fabricante:

Paquete:

PG-TDSON-8-10

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET 2N-CH 8TDSON

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 1783

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2940pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount, Wettable Flank
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.6mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-10
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 30µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	65W
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPG20N