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IPG20N04S412AATMA1

Infineon Technologies

Producto No:

IPG20N04S412AATMA1

Paquete:

PG-TDSON-8-10

Lote:

-

Ficha de datos:

-

Descripción:

MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

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Información del producto

Parámetro Info

Guía del usuario

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1470pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-10
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 15µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package / Case 8-PowerVDFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 41W
Mfr Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number IPG20N