IPL65R099C7AUMA1

Infineon Technologies

Producto No:

IPL65R099C7AUMA1

Fabricante:

Paquete:

PG-VSON-4

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON

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Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2140 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99mOhm @ 5.9A, 10V
Supplier Device Package	PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 590µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	CoolMOS™ C7
Power Dissipation (Max)	128W (Tc)
Package / Case	4-PowerTSFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPL65R099