IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Producto No:

IPN80R2K4P7ATMA1

Fabricante:

Paquete:

PG-SOT223

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Descripción:

MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	150 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4Ohm @ 800mA, 10V
Supplier Device Package	PG-SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Series	CoolMOS™ P7
Power Dissipation (Max)	6.3W (Tc)
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.5A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPN80R2