IPP024N06N3G

Infineon Technologies

Producto No:

IPP024N06N3G

Fabricante:

Paquete:

PG-TO220-3-1

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 1151

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	23000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	275 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 196µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	OptiMOS™ 3
Power Dissipation (Max)	250W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk