IPP60R385CP

Infineon Technologies

Producto No:

IPP60R385CP

Fabricante:

Paquete:

PG-TO220-3-1

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3-1

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 525

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	790 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	385mOhm @ 5.2A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 340µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	CoolMOS™
Power Dissipation (Max)	83W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Package	Bulk