IPP65R190C7FKSA1

Infineon Technologies

Producto No:

IPP65R190C7FKSA1

Fabricante:

Paquete:

PG-TO220-3

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 438

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1150 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 5.7A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 290µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	CoolMOS™ C7
Power Dissipation (Max)	72W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IPP65R190