IPU06N03LZG

Infineon Technologies

Producto No:

IPU06N03LZG

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PG-TO251-3-21

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N-CHANNEL POWER MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2783 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 5 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO251-3-21
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 40µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	25 V
Series	OptiMOS™2
Power Dissipation (Max)	83W (Tc)
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk