IPW60R099C7

Infineon Technologies

Producto No:

IPW60R099C7

Fabricante:

Paquete:

PG-TO247

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 22A TO247

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : Por favor investigación

Por favor envíe RFQ, responderemos inmediatamente.

Nombre de contacto

Correo electrónico

Nombre de la empresa

País

Cantidad

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1819 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99mOhm @ 9.7A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO247
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 490µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	CoolMOS™ C7
Power Dissipation (Max)	110W (Tc)
Package / Case	TO-247-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Package	Bulk