IRF630FP

STMicroelectronics

Producto No:

IRF630FP

Fabricante:

Paquete:

TO-220FP

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 200V 9A TO220FP

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Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Series	MESH OVERLAY™ II
Power Dissipation (Max)	30W (Tc)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IRF6