IRF630NPBF

Infineon Technologies

Producto No:

IRF630NPBF

Fabricante:

Paquete:

TO-220AB

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Descripción:

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	575 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 5.4A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Series	HEXFET®
Power Dissipation (Max)	82W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.3A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IRF630