minImg

IRF7341GTRPBF

Infineon Technologies

Producto No:

IRF7341GTRPBF

Paquete:

8-SO

Lote:

-

Ficha de datos:

-

Descripción:

MOSFET N-CH 55V 5.1A

Cantidad:

Entrega:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Pago:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

En stock : 19657

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

  • 1

    $1.71

    $1.71

  • 10

    $1.42215

    $14.2215

  • 100

    $1.13164

    $113.164

  • 500

    $0.957505

    $478.7525

  • 1000

    $0.81243

    $812.43

  • 2000

    $0.771808

    $1543.616

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Información del producto

Parámetro Info

Guía del usuario

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.1A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Series HEXFET®
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 2.4W
Mfr Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.1A
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number IRF734