IRFD123

Harris Corporation

Producto No:

IRFD123

Fabricante:

Paquete:

4-HVMDIP

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 40377

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270mOhm @ 780mA, 10V
Supplier Device Package	4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Package / Case	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Harris Corporation
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.3A (Ta)
Package	Tube