IRFHS8342TRPBF

Infineon Technologies

Producto No:

IRFHS8342TRPBF

Fabricante:

Paquete:

6-PQFN (2x2) (DFN2020)

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.7 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package	6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	HEXFET®
Power Dissipation (Max)	2.1W (Ta)
Package / Case	6-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.8A (Ta), 19A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IRFHS8342