IRFR1N60APBF-BE3

Vishay Siliconix

Producto No:

IRFR1N60APBF-BE3

Fabricante:

Paquete:

TO-252AA

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Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	229 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7Ohm @ 840mA, 10V
Supplier Device Package	TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	36W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.4A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Package	Tube
Base Product Number	IRFR1