IRL8114PBF

Infineon Technologies

Producto No:

IRL8114PBF

Fabricante:

Paquete:

TO-220AB

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Descripción:

IRL8114 - 12V-300V N-CHANNEL POW

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	2.25V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	HEXFET®
Power Dissipation (Max)	115W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Package	Bulk