IXFH26N65X2

IXYS

Producto No:

IXFH26N65X2

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TO-247 (IXFH)

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IXFH26N65X2

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	TO-247 (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	HiPerFET™, Ultra X2
Power Dissipation (Max)	460W (Tc)
Package / Case	TO-247-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	26A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXFH26