IXFH32N100X

IXYS

Producto No:

IXFH32N100X

Fabricante:

Paquete:

TO-247

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Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 1000V 32A TO247

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4075 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package	TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id	6V @ 4mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000 V
Series	HiPerFET™, Ultra X
Power Dissipation (Max)	890W (Tc)
Package / Case	TO-247-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	32A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXFH32