IXFN50N120SK

IXYS

Producto No:

IXFN50N120SK

Fabricante:

Paquete:

SOT-227B

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : Por favor investigación

Por favor envíe RFQ, responderemos inmediatamente.

Nombre de contacto

Correo electrónico

Nombre de la empresa

País

Cantidad

Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1895 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	115 nC @ 20 V
Mounting Type	Chassis Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 40A, 20V
Supplier Device Package	SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 10mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	-
Package / Case	SOT-227-4, miniBLOC
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Mfr	IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	48A (Tc)
Vgs (Max)	+20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Package	Tube
Base Product Number	IXFN50