IXTI10N60P

IXYS

Producto No:

IXTI10N60P

Fabricante:

Paquete:

TO-262 (I2PAK)

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 10A TO262

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	740mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package	TO-262 (I2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 100µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	PolarHV™
Power Dissipation (Max)	200W (Tc)
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXTI10