MBRTA40035L

GeneSiC Semiconductor

Producto No:

MBRTA40035L

Fabricante:

Paquete:

Three Tower

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3TOWER

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Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type	Chassis Mount
Product Status	Obsolete
Supplier Device Package	Three Tower
Current - Reverse Leakage @ Vr	3 mA @ 35 V
Series	-
Package / Case	Three Tower
Technology	Schottky
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	600 mV @ 200 A
Mfr	GeneSiC Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	35 V
Package	Bulk
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	200A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 150°C