MT3S111(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Producto No:

MT3S111(TE85L,F)

Fabricante:

Paquete:

S-Mini

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI

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Operating Temperature	150°C (TJ)
Frequency - Transition	11.5GHz
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	6V
Supplier Device Package	S-Mini
Series	-
Transistor Type	NPN
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max	700mW
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Noise Figure (dB Typ @ f)	1.2dB @ 1GHz
Package	Tape & Reel (TR)
Gain	12dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 30mA, 5V
Base Product Number	MT3S111