NDB6030L

Fairchild Semiconductor

Producto No:

NDB6030L

Fabricante:

Paquete:

TO-263AB

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 580

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-65°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5mOhm @ 26A, 10V
Supplier Device Package	TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	75W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	52A (Tc)
Vgs (Max)	±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk