NP23N06YDG-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

Producto No:

NP23N06YDG-E1-AY

Fabricante:

Paquete:

8-HSON

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 7500

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27mOhm @ 11.5A, 10V
Supplier Device Package	8-HSON
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1W (Ta), 60W (Tc)
Package / Case	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NP23N06