NP35N04YLG-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

Producto No:

NP35N04YLG-E1-AY

Fabricante:

Paquete:

8-HSON (5x5.4)

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

ABU / MOSFET

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 4980

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	175°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.7mOhm @ 17.5A, 10V
Supplier Device Package	8-HSON (5x5.4)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1W (Ta), 77W (Tc)
Package / Case	8-PowerLDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)