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NSB8MT-E3/81

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Producto No:

NSB8MT-E3/81

Paquete:

TO-263AB (D²PAK)

Lote:

-

Ficha de datos:

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Descripción:

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

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Información del producto

Parámetro Info

Guía del usuario

Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F 55pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Supplier Device Package TO-263AB (D²PAK)
Current - Reverse Leakage @ Vr 10 µA @ 1000 V
Series -
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1 V @ 8 A
Mfr Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000 V
Package Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io) 8A
Base Product Number NSB8