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NXPSC06650D6J

WeEn Semiconductors

Producto No:

NXPSC06650D6J

Paquete:

DPAK

Lote:

-

Ficha de datos:

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Descripción:

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK

Cantidad:

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Información del producto

Parámetro Info

Guía del usuario

Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Capacitance @ Vr, F 190pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Product Status Last Time Buy
Supplier Device Package DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr 200 µA @ 650 V
Series -
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 6 A
Mfr WeEn Semiconductors
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Package Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction 175°C (Max)
Current - Average Rectified (Io) 6A
Base Product Number NXPSC