PHB32N06LT,118

Nexperia USA Inc.

Producto No:

PHB32N06LT,118

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D2PAK

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Descripción:

MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	37mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	TrenchMOS™
Power Dissipation (Max)	97W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Vgs (Max)	±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PHB32N06