PMDT290UNE,115

Nexperia USA Inc.

Producto No:

PMDT290UNE,115

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SOT-666

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Descripción:

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	83pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.68nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380mOhm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package	SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Package / Case	SOT-563, SOT-666
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	500mW
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	800mA
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PMDT290