PMEG6010ESBYL

NXP USA Inc.

Producto No:

PMEG6010ESBYL

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DSN1006-2

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DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2

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Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	2.4 ns
Capacitance @ Vr, F	20pF @ 10V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	DSN1006-2
Current - Reverse Leakage @ Vr	30 µA @ 60 V
Series	-
Package / Case	2-XDFN
Technology	Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	730 mV @ 1 A
Mfr	NXP USA Inc.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	60 V
Package	Bulk
Operating Temperature - Junction	150°C (Max)
Current - Average Rectified (Io)	1A
Base Product Number	PMEG6010