PMPB08R4VPX

Nexperia USA Inc.

Producto No:

PMPB08R4VPX

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DFN2020MD-6

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Descripción:

MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2200 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.6mOhm @ 12A, 4.5V
Supplier Device Package	DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Series	TrenchMOS™
Power Dissipation (Max)	1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Package / Case	6-UDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Ta)
Vgs (Max)	±8V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PMPB08