PMV50ENEAR

Nexperia USA Inc.

Producto No:

PMV50ENEAR

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TO-236AB

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Descripción:

MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	276 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs	43mOhm @ 3.9A, 10V
Supplier Device Package	TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max)	510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.9A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PMV50