R6530KNX3C16

Rohm Semiconductor

Producto No:

R6530KNX3C16

Fabricante:

Paquete:

TO-220AB

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 997

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140mOhm @ 14.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 960µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	307W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	R6530