RF1S4N100SM9A

Harris Corporation

Producto No:

RF1S4N100SM9A

Fabricante:

Paquete:

TO-263AB

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Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263AB

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Harris Corporation
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.3A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Package	Bulk