RN1112,LXHF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Producto No:

RN1112,LXHF(CT

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SSM

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Descripción:

AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22K, VCEO=5

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Frequency - Transition	250 MHz
Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Resistor - Base (R1)	22 kOhms
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V
Supplier Device Package	SSM
Series	Automotive, AEC-Q101
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Package / Case	SC-75, SOT-416
Power - Max	100 mW
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Package	Tape & Reel (TR)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Base Product Number	RN1112