RQ3G110ATTB

Rohm Semiconductor

Producto No:

RQ3G110ATTB

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8-HSMT (3.2x3)

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PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package	8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	2W (Ta)
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Ta), 35A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RQ3G110