RQA0002DNSTB-E

Renesas Electronics America Inc

Producto No:

RQA0002DNSTB-E

Fabricante:

Paquete:

2-HWSON (5x4)

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 16V 3.8A 2HWSON

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Cantidad

Operating Temperature	150°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	102 pF @ 0 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Supplier Device Package	2-HWSON (5x4)
Vgs(th) (Max) @ Id	750mV @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	16 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	15W (Tc)
Package / Case	2-DFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.8A (Ta)
Vgs (Max)	±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Package	Tape & Reel (TR)