RS6P100BHTB1

Rohm Semiconductor

Producto No:

RS6P100BHTB1

Fabricante:

Paquete:

8-HSOP

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2880 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.9mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package	8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	104W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)