SCS308APC9

Rohm Semiconductor

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SCS308APC9

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DIODE SILICON CARBIDE 650V 8A

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Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	400pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Current - Reverse Leakage @ Vr	40 µA @ 650 V
Series	-
Package / Case	TO-220-2
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5 V @ 8 A
Mfr	Rohm Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Tube
Operating Temperature - Junction	175°C (Max)
Current - Average Rectified (Io)	8A
Base Product Number	SCS308